Con esta tecnología SiC, STMicroelectronics pretende aportar mejoras en rendimiento y eficiencia a automoción y entornos industriales.
STMicroelectronics, fabricante de semiconductores para un amplio espectro de aplicaciones electrónicas, introduce su tecnología de MOSFET de carburo de silicio (SiC) STPOWER de cuarta generación, que aporta mejoras en eficiencia, densidad de potencia y robustez.
A pesar de satisfacer las necesidades del sector de la automoción y entornos industriales, la nueva tecnología está particularmente optimizada para inversores de tracción, componentes importantes del sistema de propulsión de vehículos eléctricos (VE).
ST, que tiene previsto presentar más avances en tecnología de SiC hasta 2027 como compromiso con la innovación y un futuro “sostenible”, ayuda una vez más a superar los desafíos (tamaño, eficiencia y coste) de vehículos eléctricos y otras muchas aplicaciones.
Los sistemas de control de bus de VE de 800 V basados en SiC respaldan una carga más rápida y contribuyen a reducir el peso del vehículo, permitiendo a los fabricantes producir automóviles con mayor autonomía (especialmente en la gama premium).
Por ello, los nuevos dispositivos MOSFET SiC de ST, que estarán disponibles en clases de 750 y 1.200 V, incrementarán la eficiencia y el rendimiento de los inversores de tracción de bus de VE de 400 y 800 V, llevando las ventajas de la tecnología SiC a VE compactos y medianos, segmentos esenciales para ayudar en su adopción masiva.
La nueva generación también es ideal en un gran número de aplicaciones industriales de alta potencia, como inversores solares, soluciones de almacenamiento de energía y centros de datos, donde contribuyen a aumentar la eficiencia.
Hoja de ruta
ST ha completado la calificación de la clase de 750 V de esta cuarta generación y espera hacer lo mismo con la clase de 1.200 V en el primer trimestre de 2025.
Y, para acelerar el desarrollo de dispositivos de potencia de SiC a través de su estrategia de fabricación integrada verticalmente, la compañía está trabajando en múltiples innovaciones tecnológicas de SiC en paralelo para avanzar en las tecnologías de dispositivos de potencia durante los próximos tres años.
La quinta generación de dispositivos de potencia ST SiC contará con una nueva tecnología de densidad de alta potencia basada en una estructura plana. Y, en un futuro cercano, llegarán mejoras en valor de resistencia RDS(on) a altas temperaturas y una mayor reducción de RDS(on), en comparación con las tecnologías de SiC existentes.
ST presenta sus innovaciones en SiC y otros semiconductores de banda prohibida ancha en el evento ICSCRM 2024, que se celebra del 29 de septiembre al 4 de octubre en Raleigh (Estados Unidos).
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