La industria de la electrónica de potencia acelera su transición hacia soluciones basadas en nitruro de galio, e Infineon Technologies ha presentado la edición 2026 de su informe anual GaN Insights, donde analiza la evolución tecnológica y las perspectivas de crecimiento de los semiconductores de potencia GaN.
Según las previsiones recogidas en el documento, el mercado de semiconductores de potencia GaN podría alcanzar casi 3.000 millones de dólares en 2030, lo que representa un incremento del 400 % respecto a 2025, impulsado por una tasa de crecimiento anual compuesta del 44 % entre 2025 y 2030, con unos ingresos estimados de 920 millones de dólares en 2026, un 58 % más que el año anterior.
Innovaciones en interruptores bidireccionales GaN
Durante 2026, los diseñadores ampliarán el uso de interruptores bidireccionales GaN más allá de inversores solares y cargadores embarcados para vehículos eléctricos, gracias a nuevas arquitecturas que optimizan tamaño y eficiencia.
Los interruptores bidireccionales de alta tensión de Infineon incorporan un diseño de drenador común con estructura de doble puerta basado en tecnología Gate Injection Transistor (GIT), que permite emplear la misma región de deriva para bloquear tensión en ambas direcciones, reduciendo significativamente el tamaño del chip frente a configuraciones back-to-back convencionales.
Por ejemplo, los dispositivos CoolGaN BDS, capaces de operar hasta 1 MHz, permiten que microinversores solares entreguen hasta un 40 % más de potencia en el mismo volumen, al tiempo que disminuyen el coste total del sistema.
La quinta generación CoolGaN Transistor 650 V G5 presenta figuras de mérito —producto de pérdidas por conducción y conmutación— entre un 30 % y un 40 % mejores que alternativas del mercado, lo que incrementa el rendimiento global y amplía los márgenes de diseño.
Asimismo, la gama CoolGaN Transistor MV G5 integra monolíticamente un diodo Schottky, reduciendo las pérdidas en un 15 % y la temperatura del dispositivo en más de un 10 %, lo que se traduce en mayor eficiencia y fiabilidad junto a una reducción de tamaño y costes.
Expansión hacia centros de datos, robótica y automoción
La tecnología GaN está extendiendo su presencia hacia centros de datos para inteligencia artificial, robótica, vehículos eléctricos, energías renovables y ámbitos emergentes como salud digital o computación cuántica.
En infraestructuras de centros de datos, las fuentes de alimentación basadas en GaN y nuevas topologías alcanzan eficiencias superiores y mayores densidades de potencia, reduciendo pérdidas hasta en un 30 % y facilitando arquitecturas más compactas.
En robótica humanoide, los accionamientos de motor basados en GaN pueden reducir el tamaño hasta un 40 %, mejorando simultáneamente el control fino de movimiento.
Dentro del sector de automoción, la familia CoolGaN Automotive 100 V cumple la normativa AEC-Q101, respondiendo a la transición desde arquitecturas de 12 V hacia sistemas de 48 V en vehículos de nueva generación.
La estrategia IDM (Integrated Device Manufacturing) del fabricante, junto con la producción en obleas de 300 mm para GaN, respalda un catálogo superior a 50 productos, con soluciones discretas e integradas entre 40 V y 700 V destinadas a aplicaciones de consumo, industriales y automoción.
El eBook GaN Insights 2026, disponible en la web corporativa, analiza en profundidad el estado actual de la tecnología GaN, sus aplicaciones y los retos asociados a su adopción masiva en la electrónica de potencia.
En conjunto, el informe confirma que el nitruro de galio consolida su posición como tecnología clave para aumentar eficiencia, densidad de potencia y fiabilidad en los sistemas electrónicos de próxima generación.
