Logra una densidad de potencia líder en la industria mediante la integración de MOSFET de SiC de 4.ª generación en un encapsulado compacto.
ROHM ha desarrollado cuatro modelos como parte de la serie TRCDRIVE pack con módulos moldeados de SiC 2 en 1 (dos de 750 V de potencia nominal): BSTxxxD08P4A1x4 y dos de 1200 V de potencia nominal: BSTxxxD12P4A1x1) optimizados para inversores de tracción en xEV (vehículos eléctricos).
TRCDRIVE pack soporta hasta 300 kW y cuenta con una alta densidad de potencia y una configuración de terminales única, lo que ayuda a resolver los principales retos de los inversores de tracción en cuanto a miniaturización, mayor eficiencia y menos horas de trabajo necesarias.
Puesto que la electrificación de los automóviles avanza rápidamente hacia una sociedad descarbonizada, se hace necesario actualmente el desarrollo de sistemas de grupos motopropulsores eléctricos que sean más eficientes, compactos y ligeros. Sin embargo, en el caso de los dispositivos de potencia de SiC que están atrayendo la atención como componentes clave, conseguir bajas pérdidas en un tamaño reducido no ha sido un reto sencillo. ROHM ha resuelto estos problemas dentro de los grupos motopropulsores con su TRCDRIVE pack.
TRCDRIVE pack, es una marca comercial de módulos de tipo moldeado de SiC de ROHM desarrollados específicamente para aplicaciones de accionamiento de inversores de tracción, reduce el tamaño al utilizar una estructura única que maximiza el área de disipación de calor.
Tecnología incorporada
Por otro lado, los MOSFET de SiC de cuarta generación de ROHM con baja resistencia de conducción están integrados, lo que da como resultado una densidad de potencia líder en la industria 1,5 veces superior a la de los módulos de SiC moldeados generales, y al tiempo que contribuye muy eficazmente a la miniaturización de los inversores para vehículos eléctricos (xEV).
Los módulos también están equipados con terminales de señal de control que utilizan contactos a presión que permiten una fácil conexión simplemente empujando la placa del gate driver desde arriba, lo que reduce considerablemente el tiempo de instalación.
Además, se consigue una baja inductancia (5,7 nH) maximizando la trayectoria de la corriente y utilizando una estructura de barra colectora de dos capas para el cableado principal, lo que contribuye a reducir las pérdidas durante la conmutación.