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Plantilla nanoimprint de alta resolución 10 nm para semiconductores 1.4 nm

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La nueva plantilla nanoimprint de alta resolución 10 nm permite abordar nodos lógicos 1.4 nm y ofrece una alternativa más eficiente al proceso EUV.

El nuevo nanoimprint template 10 nm de DNP introduce una capacidad de patrón de líneas de 10 nm que permite fabricar semiconductores lógicos equivalentes a la generación 1.4 nm.

Dicha plantilla responde a la creciente necesidad de miniaturización en procesos avanzados, dado que la litografía EUV implica una elevada inversión en equipos, un uso energético significativo y unos costes operativos altos en líneas de fabricación.

El desarrollo se basa en la experiencia acumulada por DNP desde 2003 en la fabricación de plantillas NIL, consolidando un proceso de alta precisión adaptado a nodos de última generación.

Patronado de 10 nm mediante SADP y aumento de densidad

El nanoimprint template 10 nm utiliza SADP, un proceso de Self‑Aligned Double Patterning que duplica la densidad del patrón mediante deposición de película y grabado sobre una estructura formada previamente por litografía.

La adopción de SADP permite obtener líneas con 10 nm de ancho, reduciendo la dependencia de equipos EUV y habilitando la fabricación de dispositivos lógicos avanzados en instalaciones sin exposición EUV.

Reducción del consumo energético en exposición

El empleo de nanoimprint lithography introduce un proceso más eficiente que puede disminuir el consumo energético de la etapa de exposición a aproximadamente una décima parte frente a tecnologías vigentes como ArF inmersión o EUV.

La eficiencia energética deriva del propio método de estampado, que elimina la necesidad de fuentes radiantes de alta potencia en pasos críticos del procesado.

DNP ha iniciado la fase de evaluación del nanoimprint template 10 nm y prevé comenzar la producción en volumen en 2027.

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