Módulo de potencia TDM24745T con TLVR compacto integra cuatro etapas de potencia, inductor trans-inductor voltage regulator y desacoplo para superar 2 A/mm² en servidores de IA.
El nuevo TDM24745T de Infineon Technologies es un módulo de potencia de cuatro fases diseñado para alimentar raíles de núcleo de alta corriente en GPU y procesadores de inteligencia artificial.
La solución integra cuatro etapas de potencia, un inductor TLVR (trans-inductor voltage regulator o regulador de tensión con inductores acoplados) y condensadores de desacoplo en un encapsulado de 10 x 9 x 5 mm.
Según los datos facilitados, el conjunto alcanza una densidad de corriente superior a 2 A/mm², una cifra orientada a plataformas con fuerte restricción de espacio en placa.
Arquitectura TLVR y mayor respuesta transitoria en el TDM24745T
La topología TLVR acopla magnéticamente los inductores de las distintas fases para acelerar la respuesta ante transitorios de carga.
Esa mejora resulta relevante en centros de datos para IA, donde GPU y aceleradores pueden exigir escalones de corriente muy rápidos cuando cambia la carga de trabajo.
Infineon indica que la arquitectura TLVR permite reducir la capacitancia de salida necesaria hasta en un 50 %, lo que simplifica el diseño y libera superficie de PCB.
La reducción de componentes externos también favorece configuraciones más compactas y trayectos de potencia más cortos.
Integración embebida y entrega de corriente para servidores de IA
El módulo se basa en tecnología OptiMOS-6 MOSFET, integración embebida de chip y elementos magnéticos propietarios.
La integración embebida en el sustrato ayuda a reducir inductancias parásitas y pérdidas de encaminamiento frente a implementaciones discretas.
Ese planteamiento contribuye a mantener el rendimiento térmico en chasis de servidor de alta densidad.
El tdm24745t admite configuraciones de entrega de potencia laterales y verticales para raíles de núcleo de alta corriente.
En distribución vertical, el módulo regulador se sitúa bajo el encapsulado del procesador para acortar el camino de alimentación y reducir pérdidas resistivas.
La capacidad máxima declarada alcanza 320 A de corriente de pico, por lo que apunta a procesadores de IA de nueva generación y plataformas multiprocesador.
Combinado con controladores digitales multifase, el dispositivo permite construir arquitecturas escalables para infraestructuras de computación intensiva.
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