HEMT de GaN de 150 V

Los HEMT de GaN de 150 V de ROHMs, serie GNE10xxTB (GNE1040TB), aumentan la tensión no disruptiva de puerta (tensión nominal puerta-fuente) hasta un valor líder en la industria de 8 V. Esto los hace ideales para aplicaciones en circuitos de fuente de alimentación para equipos industriales como estaciones base y centros de datos junto con dispositivos de comunicación IoT.

En los últimos años, debido a la creciente demanda de sistemas de servidores en respuesta al cada vez mayor número de dispositivos IoT— la mejora en la eficiencia de la conversión de energía y la reducción del tamaño se han convertido en importantes cuestiones sociales que requieren nuevos avances en el sector de los dispositivos de potencia.

Como los dispositivos de GaN generalmente ofrecen características de conmutación superiores y menor resistencia en conducción que los dispositivos de silicio, se espera que contribuyan a reducir el consumo de energía de las diferentes fuentes de alimentación y a una mayor miniaturización de los componentes periféricos.

Además de producir en masa dispositivos de SiC líderes en la industria y dispositivos de silicio con múltiples funciones, ROHM ha desarrollado dispositivos de GaN que ofrecen un funcionamiento de alta frecuencia superior en el rango de media tensión, lo que nos permite ofrecer soluciones de energía para una mayor variedad de aplicaciones.

Estos nuevos productos utilizan una estructura original que eleva la tensión nominal puerta-fuente de los 6 V convencionales a los 8 V. Como resultado, se evita la degradación, incluso si se producen tensiones de rebasamiento superiores a 6 V durante la conmutación, lo que contribuye a mejorar el margen de diseño y a aumentar la fiabilidad de los circuitos de fuente de alimentación. La serie GNE10xxTB se ofrece en un encapsulado muy versátil que ofrece una disipación de calor superior y una gran capacidad de corriente, lo que facilita la manipulación durante el proceso de montaje.

ROHM ha registrado los dispositivos de GaN que contribuyen a una mayor conservación de la energía y a la miniaturización bajo el nombre de EcoGaN, y está trabajando para ampliar la gama con dispositivos que mejoren el rendimiento. En el futuro, ROHM seguirá desarrollando circuitos integrados de control que aprovechen la tecnología de fuente de alimentación analógica, como Nano Pulse Control y módulos que incorporen estos circuitos integrados, junto con soluciones de alimentación que contribuyan a una sociedad sostenible al maximizar el rendimiento de los dispositivos de GaN.